美国西北大学医学院最新研究显示，经颅磁刺激（Transcranial Magnetic Stimulation, TMS）通过用磁脉冲进行非损伤性电流传送来刺激特定脑区，可改善记忆。该技术为治疗由中风、早期阿尔茨海默病、创伤性脑损伤和心跳骤停等引起的记忆损伤，以及健康老龄化中的记忆问题提供了新思路。研究成果于2014年8月29日发表于《科学》（Science）期刊。

此前的研究中，TMS的应用仅局限于试验中，用于临时改变脑功能以改善表现，例如使人受到脑部刺激时更快地完成按键动作。海马体（hippocampus）是与记忆相关的关键脑区。精神疾病患者因脑区和海马体不能协同作用，记忆和认知功能受到影响。然而，由于海马体位于脑部深处，磁场无法穿透，一般无法直接用TMS刺激海马体。

此次研究中，研究人员通过MRI扫描记录的脑部血流间接检测方法，确定了一个距离颅骨表面仅1厘米且与海马体紧密相连的浅脑区，发现直接刺激该区域能引发海马体活动。通过对16名年龄在21～40岁之间的健康成年人进行脑刺激和记忆测试，发现刺激使得脑部不同区域之间以及其他区域与海马体之间的协调性更好，从而提高参与者在记忆测试中的表现，即提高人们学习新事物的能力。可见，TMS可使人脑记忆功能在不依赖手术和药物的情况下特异性地改变，对于治疗记忆紊乱非常有潜力。

研究人员认为，由于药物的靶标种类繁多，很难从中筛选出和记忆相关的受体，因此目前还没有像TMS这样特异性针对记忆网络的药物。在后续试验中，研究人员将研究电刺激对罹患早期记忆丧失的人的影响，但在此之前需要几年的时间来确定这种方法对阿尔茨海默病患者或类似的记忆紊乱患者是否安全有效。

韩文雄 编译

参考文献：
J. X. Wang, L. M. Rogers, E. Z. Gross, A. J. Ryals, M. E. Dokucu, K. L. Brandstatt, M. S. Hermiller, J. L. Voss. Targeted enhancement of cortical-hippocampal brain networks and associative memory. Science, 2014; 345 (6200): 1054 DOI: 10.1126/science.1252900